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単層単結晶膜の開発に成功Name名無し26/01/28(水)19:35:20No.775056+ 08日23:14頃消えます

物質・材料研究機構（ＮＩＭＳ）の佐久間芳樹ＮＩＭＳ特別研究員と
東京大学の長汐晃輔教授らは、二硫化モリブデン（ＭｏＳ２）の
単層単結晶の成膜技術を開発した。２インチウエハーの全域に均一な膜を作れる。
二硫化モリブデンはサブ１ナノ世代の２次元半導体の材料になる。
トランジスタを作製したところ高い移動度を確認した。
２次元半導体の基盤技術になる可能性がある。
https://topics.smt.docomo.ne.jp/article/newswitch/business/newswitch-48165?redirect=1

…	1無題Name名無し 26/01/28(水)19:36:38No.775058+     1769596598296.jpg-(12953 B) サファイアの膜に二硫化モリブデンを吹き付ける技術 シリコン半導体は１．５ナノが限界と言われているが これはその先を見据えた新技術で1ナノ、０．５ナノ半導体への突破口となる二次元半導体の基盤となる

…	2無題Name名無し 26/01/28(水)21:45:39No.775077+ やはり日本が新技術では上か